Para medir el  Voltaje de Umbral en un MOSFET se realiza una prueba de barrido Id -Vg (Corriente de drenaje vs. Voltaje de compuerta) utilizando dos unidades SMU primero se conecta una SMU a la compuerta para aplicar un barrido de voltaje lineal y otra al drenaje para mantener un voltaje de polarización constante a 50mV o 100mV, a través del software Clarius, el equipo registra la corriente de drenaje resultante y utiliza el motor de análisis Formulator para aplicar automáticamente el método de la Extrapolación de la Transconductancia Máxima, este método identifica el punto donde la derivada de la curva es mayor y traza una tangente hasta el eje X, calculando el valor exacto de Vth sin intervención manual y eliminando los efectos de la resistencia en serie.

Para medir el Doping profile en un Diodo de Unión P-N se emplea el módulo 4210-CVU para realizar un barrido de capacitancia frente a voltaje inverso. Se aplica una pequeña señal de CA sobre CC variable que ensancha la región de agotamiento del diodo; a medida que el voltaje inverso aumenta la capacitancia disminuye y el software Clarius utiliza la relación matemática entre la pendiente de la curva 1/C^2 vs. V para calcular la concentración de portadores N en función de la profundidad w. Mediante el análisis integrado en el Formulator, el sistema genera automáticamente una gráfica de dopaje que permite visualizar si la distribución de impurezas es uniforme.

Para medir la Gate leakage en un MOSFET se utiliza una unidad SMU equipada con un preamplificador para poder detectar corrientes en el rango de los femtoamperios. Se conecta la SMU de alta sensibilidad a la terminal de la compuerta (Gate), mientras que el surtidor (Source), el drenaje (Drain) y el sustrato (Bulk) se conectan a una terminal común de tierra (Common). se configura un barrido de voltaje en la compuerta que simula las condiciones, el equipo mide la ínfima corriente que atraviesa el dieléctrico del óxido, lo que permite evaluar la integridad del aislante, identificar mecanismos de conducción.

Para medir los Trapping effects en LEDs se utiliza la unidad de medida de pulsos ya que las mediciones de DC convencionales calientan el dispositivo y enmascaran la captura de carga en los defectos del cristal. Se aplican pulsos de voltaje muy cortos de nanosegundos y se mide la respuesta de corriente resultante; al variar el ciclo de trabajo se observa si la intensidad lumínica cae debido a que los portadores de carga quedan atrapados en centros de recombinación no radiativos. Mediante el software Clarius, se comparan las curvas I-V pulsadas con las estáticas, donde cualquier histéresis o reducción de corriente (conocida como current collapse) revela la densidad y la dinámica de las trampas presentes en las capas de nitruro o en los pozos cuánticos del LED.

Para medir la Reliability (NBTI y TDDB) en amplificadores operacionales (Op-Amps)  el enfoque cambia de caracterizar un solo transistor a estresar los transistores de entrada (generalmente el par diferencial) que definen el rendimiento del circuito. Para el NBTI, se aplicar un estrés de voltaje negativo en las entradas del Op-Amp a temperaturas elevadas, midiendo casi instantáneamente el desplazamiento en el voltaje de offset ,esto es vital porque el NBTI degrada el Vth de los transistores internos, rompiendo el equilibrio del amplificador. Para el TDDB, se usan las SMU para aplicar un campo eléctrico constante sobre el pin de alimentación o las entradas hasta que el dieléctrico interno falla, monitoreando la corriente de fuga total. El software Clarius gestiona estos ciclos de «estrés-medida», permitiendo automatizar pruebas de larga duración y generar gráficos de vida útil que predicen cuándo el amplificador operará fuera de sus especificaciones técnicas.